RQ5H020TNTL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062800482
- Артикул
- RQ5H020TNTL
- Бренд
- Rohm
- Width
- 1.8mm
- Series
- RQ5H020TN
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 45V N-CHANNEL 2A
Технические параметры
| Width | 1.8mm |
| Series | RQ5H020TN |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSMT-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Qg - заряд затвора | 2.9 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Время нарастания | 16 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | RQ5H020TN |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 45 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |