Моя заявка (0)
RQ5H020TNTL, MOSFETs SOT346 N-CH 45V 2A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007110751
Артикул
RQ5H020TNTL
Бренд
Rohm
Width
1.8mm
Series
RQ5H020TN
Pin Count
3
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 116,14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 45V N-CHANNEL 2A

Технические параметры

Width1.8mm
SeriesRQ5H020TN
Pin Count3
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTSMT-3
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1 W
Typical Gate Charge @ Vgs2.9 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±12 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-346-3
Maximum Drain Source Voltage45 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage0.5V
Qg - заряд затвора2.9 nC
Maximum Drain Source Resistance250 mΩ
Время нарастания16 ns
Maximum Continuous Drain Current2 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1 W
Другие названия товара №RQ5H020TN
Id - непрерывный ток утечки2 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток45 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичное время задержки выключения21 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В500 mV
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)180 mOhms

Техническая документация