Моя заявка (0)

RQ5E050ATTCL, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, SOT-346T, Surface Mount

RQ5E050ATTCL, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, SOT-346T, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000867983
Артикул
RQ5E050ATTCL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.03
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
1Вт
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 123 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.03
Channel TypeP Channel
Power Dissipation1Вт
СтруктураP-Channel
Power Dissipation (Pd)760mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)19.4nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)880pF@15V
Continuous Drain Current (Id)5A
Drain Source On State Resistance0.021Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)125pF@15V
Непрерывный Ток Стока5А
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-346T
Пороговое напряжение на затворе2.5V@1mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.021Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)26mΩ@5A, 10V

Техническая документация