RQ5E025SNTL, 30V 2.5A 70m @10V,2.5A 2.5V One N-channel 700mW SC-96 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070202264
- Артикул
- RQ5E025SNTL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.04
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 1Вт
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL 2.5A
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 2.9 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.05Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | RQ5E025SN |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.05Ом |