RQ5E025ATTCL, 30V 2.5A 1W 91mOhm@2.5A,10V P Channel TSMT3-3(2.9x1.7) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026307412
- Артикул
- RQ5E025ATTCL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 5.5 ns
- Rise Time:
- 8.5 ns
- Вес, г
- 0.52
Цена по запросу
(от 53,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Вес, г | 0.52 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-346-3 |
| Part # Aliases: | RQ5E025AT |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.7nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 220pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.1 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 91mΩ@2.5A, 10V |