RQ5C060BCTCL,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8266612849
- Артикул
- RQ5C060BCTCL
- Бренд
- Rohm
- Width
- 1.8mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- RQ5C060BC
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с низким напряжением возбуждения на затворе МОП-транзисторы ROHM с низким напряжением возбуждения на затворе имеют широкий диапазон типов приводов - от 0,9 до 10 вольт. Этот широкий диапазон типов приводов обеспечивает поддержку различныx применений - от слабого сигнала до высокой мощности. Эти МОП-транзисторы выпускаются в широком ассортименте размеров, которые не уступают по размеру микроминиатюрному корпусу (типоразмеры 0604). Такое разнообразие размеров позволяет экономить пространство в помещении. Эти МОП-транзисторы обеспечивают превосxодную скорость переключения и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Width | 1.8mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | RQ5C060BC |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 72 ns |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 5.577 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-346 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RQ5C060BC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19.2 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 51 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0161 Ом |