Моя заявка (0)

RQ5C025TPTL, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Surface Mount

RQ5C025TPTL, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000819306
Артикул
RQ5C025TPTL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.032
Channel Type
P Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
1Вт
Цена по запросу
(от 101 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -20V P-CHANNEL -2.5A

Технические параметры

Вес, г0.032
Channel TypeP Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation1Вт
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада20 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-346-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора7 nC
Время нарастания18 ns
Drain Source On State Resistance0.07Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.5А
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Pd - рассеивание мощности1 W
Другие названия товара №RQ5C025TP
Id - непрерывный ток утечки2.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-346T
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток95 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@1mA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150 C
Типичное время задержки выключения50 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток700 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.07Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.07 Ом

Техническая документация