RQ5A020ZPTL, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070092319
- Артикул
- RQ5A020ZPTL
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 35 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 54,09 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 35 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-346-3 |
| Part # Aliases: | RQ5A020ZP |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 6.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.5nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 770pF@6V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 300 mV |