Моя заявка (0)
RQ5A020ZPTL, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022070148
Артикул
RQ5A020ZPTL
Бренд
Rohm
Type
1PCSPChannel
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
35 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

12В 2А 105 Мом при 2А, 4,5 В 700 МВт 1В при 1мА 1-канальные МОП-транзисторы TSMT-3 ROHS

Технические параметры

Type1PCSPChannel
Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:35 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:17 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-346-3
Part # Aliases:RQ5A020ZP
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:6.5 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)700mW
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)6.5nC@4.5V
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)770pF@6V
Typical Turn-Off Delay Time:65 ns
Continuous Drain Current (Id)2A
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:105 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:300 mV
Пороговое напряжение на затворе1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)105mΩ@2A, 4.5V

Техническая документация