Моя заявка (0)

RQ3P300BHTB1, 100V 39A 15.5mOhm@10A,10V 2W 4V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3.2x3) MOSFETs ROHS

RQ3P300BHTB1, 100V 39A 15.5mOhm@10A,10V 2W 4V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3.2x3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069189728
Артикул
RQ3P300BHTB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
14 ns
Rise Time:
20 ns
Вес, г
0.06
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:14 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:HSMT-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RQ3P300BH
Transistor Type:Power MOSFET
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:18 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:32 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:39 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:15.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V