Моя заявка (0)

RQ3N025ATTB1,Power MOSFET, P Channel, 80 V, 7 A, 0.24 ohm, HSMT, Surface Mount

RQ3N025ATTB1,Power MOSFET, P Channel, 80 V, 7 A, 0.24 ohm, HSMT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050717413
Артикул
RQ3N025ATTB1
Бренд
Rohm
Вес, г
0.03
No. of Pins
8Pins
Channel Type
P Channel
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 144 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.03
No. of Pins8Pins
Channel TypeP Channel
СтруктураP-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleHSMT
Особенности-
Drain Source Voltage Vds80V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id7A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт14W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.24 Ом

Техническая документация