RQ3G120BJFRATCB,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8046469608
Артикул: RQ3G120BJFRATCB
Бренд: Rohm
Brand:: ROHM Semiconductor
Fall Time:: 9.8 ns
Packaging:: Reel, Cut Tape
Rise Time:: 4.7 ns

Цена по запросу

(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:	ROHM Semiconductor
Fall Time:	9.8 ns
Packaging:	Reel, Cut Tape
Rise Time:	4.7 ns
Вес, г	0.013
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Package/Case:	HSMT-8
Product Type:	MOSFETs
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Product Category:	MOSFETs
Qg - Gate Charge:	15.5 nC
Структура	P-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	P-Channel
Factory Pack Quantity:	3000
Особенности	-
Pd - Power Dissipation:	40 W
Typical Turn-On Delay Time:	6.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	36 ns
Id - Continuous Drain Current:	12 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Forward Transconductance - Min:	6.5 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.048 Ом