Моя заявка (0)

RQ3G110ATTB, 40V 12.4mOhm@11A,10V 2W 2.5V@1mA 1 PIece P-Channel HSMT-8(3.2x3) MOSFETs ROHS

RQ3G110ATTB, 40V 12.4mOhm@11A,10V 2W 2.5V@1mA 1 PIece P-Channel HSMT-8(3.2x3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069305620
Артикул
RQ3G110ATTB
Бренд
Rohm
Вес, г
0.29
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
2Вт
Drain Source On State Resistance
0.0098Ом
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.29
Channel TypeP Channel
Power Dissipation2Вт
Drain Source On State Resistance0.0098Ом
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока35А
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораHSMT
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный