RQ3G110ATTB, MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018650720
- Артикул
- RQ3G110ATTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 2Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 191,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0098Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSMT |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |