RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015761454
- Артикул
- RQ3G100GNTB
- Бренд
- Rohm
- Width
- 3.1mm
- Series
- RQ3G100GN
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 46,83 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 40 В, 10 А, HSMT-8; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 10 А; Напряжение источника стока Vds: 40 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,011 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2,5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт; Тип корпуса транзистора: HSMT; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Без SVHC (15 января 2018 г.)
Технические параметры
| Width | 3.1mm |
| Series | RQ3G100GN |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSMT |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 18.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом |