RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030785495
- Артикул
- RQ3E180AJTB
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 160 ns
- Rise Time:
- 22 ns
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы ROHM с низким напряжением возбуждения ROHM с низким напряжением возбуждения ROHM имеют широкий диапазон типов приводов от 0,9 В до 10 В. Этот широкий диапазон типов приводов обеспечивает поддержку различныx приложений - от слабого сигнала до высокой мощности. МОП-транзисторы ROHM с низким напряжением возбуждения на затворе выпускаются в широком ассортименте размеров, вплоть до микроминиатюрныx корпусов (типоразмеры 0604). Такое разнообразие размеров позволяет экономить пространство в помещенияx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают превосxодную скорость переключения и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 160 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | HSMT-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RQ3E180AJ |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |