RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062498850
- Артикул
- RQ3E160ADTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.01
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 2Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.0035Ом
Цена по запросу
(от 56 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.0035Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 16А |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSMT |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0035Ом |