RQ3E130MNTB1, 30V 13A 2W 8.1m-@10V,13A 2.5V@1mA N Channel HSMT8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015796918
- Артикул
- RQ3E130MNTB1
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Fall Time
- 7 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Rise Time
- 18 ns
Цена по запросу
(от 54,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Fall Time | 7 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 18 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.12 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | HSMT-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 14 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.9 mOhms |