RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070106966
- Артикул
- RQ3E120ATTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.01
- Transistor Polarity
- P Channel
- Vgs - Gate-Source Voltage
- 2.5V @ 1mA
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 11.3mО© @ 12A,4.5V
Цена по запросу
(от 83,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 1mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.3mО© @ 12A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 20W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 39A |