RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044111828
- Артикул
- RQ3E120ATTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.01
- Структура
- MOSFET
- Transistor Polarity
- P Channel
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 106,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 1mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.3mО© @ 12A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 20W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 39A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0061 Ом |