RQ3E100GNTB, 30V 10A 11.7m @10V,10A 2.5V One N-channel HSMT-8(3x3.2) Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062084952
- Артикул
- RQ3E100GNTB
- Бренд
- Rohm
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 68,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | HSMT EP |
| Rad Hardened | No |
| Power Dissipation | 2(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.1 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 10(A) |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | HSMT-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.9 nC |
| Время нарастания | 4.3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | RQ3E100GN |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 22.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |