RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038981994
- Артикул
- RQ3E100BNTB
- Бренд
- Rohm
- Case
- HSMT8
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.01
- Gate charge
- 22nC
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Case | HSMT8 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.01 |
| Gate charge | 22nC |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 21A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 15W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 15.3mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 40A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10.4mΩ@10A, 10V |