RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065487262
- Артикул
- RQ3E080GNTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.01
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 2.4 ns
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 2.4 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | HSMT-8 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 5.8 nC |
| Время нарастания | 3.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | RQ3E080GN |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 17.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |