RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070085132
- Артикул
- RQ3E080BNTB
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 59,56 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSMT-8 |
| Part # Aliases: | RQ3E080BN |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 660pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |