RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022110362
- Артикул
- RQ3E080BNTB
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 8 А 15.2mOhm@8A,10 В 2 Вт 2.5V@1mA 1 шт. многоканальныx МОП-транзисторов ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSMT-8 |
| Part # Aliases: | RQ3E080BN |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 660pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15.2mΩ@8A, 10V |