RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043008596
- Артикул
- RQ3E075ATTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.01
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 27 ns
Цена по запросу
(от 106,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Pch -30V -18A Si МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 27 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | HSMT-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Время нарастания | 9.2 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Другие названия товара № | RQ3E075AT |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |