RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015776991
- Артикул
- RQ3C150BCTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Pch -20V -30A Si МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 280 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | HSMT-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Время нарастания | 80 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Другие названия товара № | RQ3C150BC |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Крутизна характеристики, S | 25 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 300 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 8В |