RQ1E050RPTR, TSMT8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015774250
- Артикул
- RQ1E050RPTR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.04
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 62,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DRVE PCH МОП-транзистор W/4V
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 50 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Другие названия товара № | RQ1E050RP |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 90 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |