RN2712JE(TE85L,F), Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063957560
- Артикул
- RN2712JE(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.05
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- pnp
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | ESV-5 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальная рабочая частота | 200 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |