Моя заявка (0)

RN2705,LF, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A

RN2705,LF, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062542957
Артикул
RN2705,LF
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.01
Структура
pnp
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Цена по запросу
(от 99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A

Технические параметры

Вес, г0.01
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокUSV-5
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80

Техническая документация