RN2501(TE85L,F), Digital Transistors Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006247020
- Артикул
- RN2501(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 1
- Серия
- RN2501
- Package Type
- SSOP
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
Технические параметры
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | RN2501 |
| Package Type | SSOP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Base-Emitter Resistor | 4.7kΩ |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 4.7 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SMV-5 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 200 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |