Моя заявка (0)

RN2132MFV,L3F, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064101614
Артикул
RN2132MFV,L3F
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.05
Структура
pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
100 mA
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
Структураpnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA