RN2130MFV,L3F, Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062575855
- Артикул
- RN2130MFV,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- RN2130
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | RN2130 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |