RN2107MFV,L3F(CT, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064101612
- Артикул
- RN2107MFV,L3F(CT
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.05
- No. of Pins
- 3 Pin
- Power Dissipation
- 150mW
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Power Dissipation | 150mW |
| Структура | pnp |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Case Style | SOT-723 |
| Base Input Resistor R1 | 10kohm |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Base Emitter Resistor R2 | 47kohm |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Collector Current | 100mA |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |