Моя заявка (0)

RN2106,LF(CT, 80@10mA,5V 1 PNP Pre-Biased 100mW 100mA 50V SC-75(SOT-416) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS

RN2106,LF(CT, 80@10mA,5V 1 PNP Pre-Biased 100mW 100mA 50V SC-75(SOT-416) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072366938
Артикул
RN2106,LF(CT
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.03
Серия
RN2106
Структура
pnp
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package

Технические параметры

Вес, г0.03
СерияRN2106
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокSSM-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности100 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80

Техническая документация