Моя заявка (0)

RN2106,LF(CT,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm

RN2106,LF(CT,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046445257
Артикул
RN2106,LF(CT
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.002
Серия
RN2106
Структура
pnp
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package

Технические параметры

Вес, г0.002
СерияRN2106
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокSSM-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности100 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация