RN2105,LF(CT, Digital Transistors PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062475624
- Артикул
- RN2105,LF(CT
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- RN2105
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | RN2105 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SSM-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |