Моя заявка (0)

RN2104,LF(CT, Digital Transistors TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package

RN2104,LF(CT, Digital Transistors TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006247927
Артикул
RN2104,LF(CT
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
1
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Toshiba
Цена по запросу
(от 77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резистором смещения Toshiba (BRT) предлагают широкий спектр вариантов полярности. Транзисторы с резисторами смещения доступны в вариантаx полярности NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы Toshiba с резистором смещения имеют 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с возможностью одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутреннего подключения.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г1
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SSM-3
Product Category:Digital Transistors
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:100 mW
Typical Input Resistor:47 kOhms
Emitter- Base Voltage VEBO:-10 V
Collector- Base Voltage VCBO:-50 V
Maximum DC Collector Current:-100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:-50 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация