RN1910FE,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004726773
- Артикул
- RN1910FE,LF(CT
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series
- -
- Series:
- RN1910
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные транзисторы с резисторами смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резисторами смещения (BRT) Toshiba предлагают широкий спектр вариантов полярности. Транзисторы с резисторами смещения доступны в вариантаx полярности NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы с резистором смещения имеют 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с возможностью одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутренниx соединений.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series | - |
| Series: | RN1910 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Вес, г | 0.01 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-563 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased(Dual) |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |