RN1908,LF(CT, Digital Transistors TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004639048
- Артикул
- RN1908,LF(CT
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия:
- RN1908
- Структура
- npn
- Вид монтажа:
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия: | RN1908 |
| Структура | npn |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация: | Dual |
| Подкатегория: | Transistors |
| Производитель: | Toshiba |
| Торговая марка: | Toshiba |
| Упаковка / блок: | US-6 |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |