Моя заявка (0)

RN1710,LF, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

RN1710,LF, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064005509
Артикул
RN1710,LF
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.05
Структура
npn
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Цена по запросу
(от 130 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Технические параметры

Вес, г0.05
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокUSV-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120

Техническая документация