Моя заявка (0)

RN1706JE(TE85L,F), Digital Transistors Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A

RN1706JE(TE85L,F), Digital Transistors Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067823912
Артикул
RN1706JE(TE85L,F)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.01
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Toshiba
Цена по запросу
(от 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резистором смещения Toshiba (BRT) предлагают широкий спектр вариантов полярности. Транзисторы с резисторами смещения доступны в вариантаx полярности NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы Toshiba с резистором смещения имеют 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с возможностью одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутреннего подключения.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.01
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:ESV-5
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Digital Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:4000
Pd - Power Dissipation:100 mW
Typical Input Resistor:4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:0.1
Peak DC Collector Current:100 mA
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Maximum Operating Frequency:250 MHz
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V

Техническая документация