Моя заявка (0)

RN1703JE(TE85L,F), Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

RN1703JE(TE85L,F), Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007323139
Артикул
RN1703JE(TE85L,F)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 190 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резистором смещения Toshiba (BRT) предлагают широкий спектр вариантов полярности. Транзисторы с резисторами смещения доступны в вариантаx полярности NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы Toshiba с резистором смещения имеют 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с возможностью одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутреннего подключения.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:ESV-5
Product Category:Digital Transistors
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:4000
Pd - Power Dissipation:100 mW
Typical Input Resistor:22 kOhms
Typical Resistor Ratio:1
Peak DC Collector Current:100 mA
Emitter- Base Voltage VEBO:10 V
Maximum Operating Frequency:250 MHz
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц1

Техническая документация