RN1703,LF, Digital Transistors TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509530
- Артикул
- RN1703,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Структура
- npn
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | USV-5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |