RN1607(TE85L,F), Digital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509529
- Артикул
- RN1607(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- RN1607
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резистором смещения Toshiba (BRT) предлагают широкий спектр вариантов полярности. Транзисторы с резисторами смещения доступны в вариантаx полярности NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы Toshiba с резистором смещения имеют 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с возможностью одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутреннего подключения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | RN1607 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SM-6 |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.213 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SM-6 |
| Maximum Operating Frequency: | 250 MHz |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.213 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |