RN1502(TE85L,F),Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046470936
- Артикул
- RN1502(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 0.014
- Серия
- RN1502
- Package Type
- SSOP
Цена по запросу
(от 100 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A
Технические параметры
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 0.014 |
| Серия | RN1502 |
| Package Type | SSOP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base-Emitter Resistor | 10kΩ |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 50 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SMV-5 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |