Моя заявка (0)

RN1415,LF, Digital Transistors TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package

RN1415,LF, Digital Transistors TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006224665
Артикул
RN1415,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.01
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Toshiba
Цена по запросу
(от 70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резистором смещения Toshiba (BRT) предлагают широкий спектр вариантов полярности. Транзисторы с резисторами смещения доступны в вариантаx полярности NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы Toshiba с резистором смещения имеют 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с возможностью одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутреннего подключения.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.01
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SC-59-3
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Digital Transistors
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:200 mW
Typical Input Resistor:10 kOhms
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:50
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V

Техническая документация