RN1306,LF, 80@10mA,5V 1 NPN - Pre BIased 100mW 100mA 50V SC-70 DIgItal TransIstors ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945293
- Артикул
- RN1306,LF
- Бренд
- Toshiba
- Тип
- NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2 mm
- Серия
- RN1306
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
Технические параметры
| Тип | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | RN1306 |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SC-70 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |