RN1302,LF, 50@10mA,5V 1 NPN - Pre BIased 100mW 100mA 50V SC-70 DIgItal TransIstors ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945260
- Артикул
- RN1302,LF
- Бренд
- Toshiba
- Type:
- NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.03
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резистором смещения Toshiba (BRT) предлагают широкий спектр вариантов полярности. Транзисторы с резисторами смещения доступны в вариантаx полярности NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы Toshiba с резистором смещения имеют 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с возможностью одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутреннего подключения.
Технические параметры
| Type: | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SC-70 |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 50 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |