RN1116MFV,L3F(T,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046439076
- Артикул
- RN1116MFV,L3F(T
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3 Pin
- Power Dissipation
- 150mW
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Power Dissipation | 150mW |
| Структура | npn |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | Single NPN |
| Transistor Case Style | SOT-723 |
| Base Input Resistor R1 | 4.7kohm |
| DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
| Base Emitter Resistor R2 | 10kohm |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Collector Current | 100mA |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |